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数据表只能表示实体,不能表示实体之间的关系

2020-07-09 23:45:39 [优学院答案] 来源:超星题库网

对于球面上的一般点,如果已知点的一个投影,可以由投影对应关系直接求出其余两个投影。

  • 错误
  • 正确

施密特认为,国家建立以后,国内的政治问题就可以转化为_______问题。

  • 分配
  • 道德
  • 法律
  • 生存

中国近代使用“政治”一词对译英文的_______一词。

  • 暂无选项

西文中"politics"一词来源于古希腊语的"polis"一词,原意是______。

  • 暂无选项

数据表只能表示实体,不能表示实体之间的关系

共同体的概念意味着政治上一个核心的区分,即公共领域与_______的区分。

  • 暂无选项

在视频中,老师引用《政治学的邀请》指出,政治就是_________与反抗的缘由构成的集合体。

  • 暂无选项

在《以政治为业》中,韦伯根据政治家对待政治事业的不同态度将政治家分为两种类型,分别是“靠政治为生”和“_______”。

  • 暂无选项

施密特在《政治的概念》中指出,美学是关于美和丑,伦理学是关于善和恶,经济学是关于赢利和亏损,政治则是关于朋友和_______。

  • 暂无选项

关于政治学研究科学道路与人文道路,以下说法错误的是

  • 学者研究兴趣的不同影响了政治学研究两条道路的产生
  • 中世纪四大学科中的哲学和现在我们所说的哲学是不同的
  • 等级制度的崩溃为政治学研究科学道路的兴起提供了条件
  • 政治学的科学道路产生于人文道路之前,研究社会现象中的基本规律

由于社会世界看不见摸不着,故对于研究者来说产生的最大问题是

  • 如何设计评价体系
  • 如何控制变量
  • 如何统一定义
  • 如何选择样本

昆布主要功能是

  • 消食化积
  • 软坚散结
  • 活血散瘀
  • 止咳化痰

生药狗脊的原植物是

  • 狗脊蕨
  • 金毛狗脊
  • 单芽狗脊蕨
  • 紫萁

火烧时易燃并发生爆鸣声,且有闪光的生药是

  • 血竭
  • 艾片
  • 青黛
  • 海金沙

绵马贯众的主要化学成分是

  • 黄酮类化合物
  • 间苯三酚衍生物
  • 环烯醚萜化合物
  • 生物碱

数据表只能表示实体,不能表示实体之间的关系

外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。

  • 暂无选项

如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。

  • 正确
  • 错误

VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面

  • 暂无选项

VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:

  • 自掺杂效应
  • 互扩散效应
  • 衬底表面没清洗干净的缘故。
  • 掺杂气体不纯

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?

  • MBE
  • VPE、LPE
  • UHV/CVD
  • SEG、SPE

在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?

  • (100)
  • (111)
  • (110)
  • (211)

关于拉单晶时进行的缩颈步骤,下面的说法那种正确

  • 可以多次缩颈
  • 为了能拉出与籽晶相同的硅锭
  • 为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
  • 为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸

在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭

  • 正确
  • 错误

磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率:

  • 轴向均匀
  • 轴向递减
  • 轴向递増
  • 径向递减

拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的 造成。

  • 暂无选项

通常掩膜氧化采用的工艺方法为:

  • 干氧
  • 低压氧化
  • 干氧-湿氧-干氧
  • 掺氯氧化

关于氧化速率下面哪种描述是正确的:

  • 温度升高氧化速率迅速增加
  • 生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
  • 生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
  • (111)硅比(100)硅氧化得快

制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

  • 错误
  • 正确

数据表只能表示实体,不能表示实体之间的关系

热氧化速率快慢排序: 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。(从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空,中间用“、”隔开)

  • 暂无选项

热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质 引起的。(两个字)

  • 暂无选项

【图片】

  • 图(a)是恒定源扩散,图(b)限定源扩散
  • 图(a)、(b)都是限定源扩散
  • 图(a)是限定源扩散,图(b)恒定源扩散
  • 图(a)、(b)都是恒定源扩散

扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸 ,这是 效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。

  • 大,场助扩散
  • 大,横向扩散
  • 大,氧化增强
  • 小,横向扩散

扩散系数在何时不可以看成是常数:

  • 在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
  • 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;
  • 在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。
  • 在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质;

一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。

  • 正确
  • 错误

在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩 分钟。(只保留整数)

  • 暂无选项

在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是 。当偏离晶向 ψc注入时,可以避免。

  • 横向效应,>
  • 横向效应,<
  • 沟道效应,>
  • 沟道效应,<

形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?

  • 不可以
  • 可以,实际注硼:QB+QSb
  • 可以,实际注硼:QB
  • 可以,实际注硼:QB-QSb

基于LSS理论,判断对下图分析的对错:【图片】

  • 该入射离子是高能注入;
  • 入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞;
  • 入射离子在靶中由A运动到B主要是受到靶电子阻滞;
  • 入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。

关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:

  • 注入离子能量越高,临界剂量越低;
  • 靶温升高,临界剂量上升;
  • 注入离子剂量率增大,临界剂量降低。
  • 注入离子越轻,临界剂量越小;

(责任编辑:智慧职教答案)

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